HY534256

HY534256 256K x 4-Bit CMOS DRAM (Hyundai/Hynix)

The HY534256 (Hyundai/Hynix) is a 256K x 4-bit CMOS dynamic RAM chip, a larger-capacity DRAM generation than the 16Kbit-class chips like the D416C also in this catalog.

HY534256 – How It Works

Like other CMOS DRAM chips, each bit is stored as a charge requiring periodic refresh, but with CMOS technology (rather than NMOS) offering lower power consumption, and organized as 262,144 words of 4 bits each — representing a later, higher-density generation of dynamic memory technology than the earlier 16Kbit-class chips.

Being CMOS rather than the older NMOS technology used in chips like the D416C or AM9016 also in this catalog, it draws significantly less standby power — a generational improvement typical of later-era DRAM parts.

Key Features

• 256K x 4-bit CMOS dynamic RAM
• Lower power consumption than NMOS DRAM
• Higher-density memory generation

Typical Applications

• Vintage 286/386-era computer main memory
• Classic microprocessor system memory expansion
• Educational DRAM technology study

Datasheet Specifications

• Organization: 256K x 4-bit
• Technology: CMOS Dynamic RAM
• Manufacturer: Hyundai (Hynix)

For more background, see dynamic RAM (DRAM) technology: reference. Browse our full range of ICs and microcontrollers.

HY534256 256K x 4-Bit CMOS DRAM (Hyundai/Hynix)

دائرة HY534256 (هيونداي/هينكس) شريحة ذاكرة RAM ديناميكية CMOS بسعة 256 كيلو × 4 بت، جيل DRAM سعة أكبر من شرائح فئة 16 كيلوبت زي D416C الموجودة كمان في الكتالوج.

HY534256 – إزاي شغالة

زي باقي شرائح DRAM بتقنية CMOS، كل بت بيتخزن كشحنة محتاجة تحديث دوري، لكن بتقنية CMOS (بدل NMOS) بتوفر استهلاك قدرة أقل، ومنظمة كـ262144 كلمة كل واحدة 4 بت — بتمثل جيل لاحق أعلى كثافة من تقنية الذاكرة الديناميكية من شرائح فئة 16 كيلوبت الأقدم.

بكونها CMOS بدل تقنية NMOS الأقدم المستخدمة في شرائح زي D416C أو AM9016 الموجودين كمان في الكتالوج، بتسحب قدرة استعداد أقل بشكل كبير — تحسين جيلي نموذجي لقطع DRAM من فترة لاحقة.

المواصفات الأساسية

• ذاكرة RAM ديناميكية CMOS 256 كيلو × 4 بت
• استهلاك قدرة أقل من DRAM بتقنية NMOS
• جيل ذاكرة أعلى كثافة

الاستخدامات

• ذاكرة رئيسية لكمبيوتر عصر 286/386 قديم
• توسيع ذاكرة نظام معالج كلاسيكي
• دراسة تعليمية لتقنية DRAM

المواصفات الفنية

• التنظيم: 256 كيلو × 4 بت
• التقنية: RAM ديناميكية CMOS
• الشركة المصنعة: هيونداي (هينكس)

لمزيد من التفاصيل التقنية راجع ذاكرة DRAM الديناميكية على ويكيبيديا، وتصفح باقي الدوائر المتكاملة والمتحكمات المتوفرة عندنا.