2N3822
200,00 EGP
The 2N3822 JFET is an N-channel silicon junction FET in a TO-72 package, rated 50V, designed for low-noise VHF and small-signal amplifier applications.
ترانزستور 2N3822 JFET من نوع N-channel سيليكون junction FET باكدج TO-72، مقيّم 50 فولت، مصمم لتطبيقات مكبر VHF وإشارة صغيرة منخفضة الضوضاء.
2N3822 JFET
The 2N3822 JFET is an N-channel silicon junction FET in a TO-72 package, rated 50V, designed for low-noise VHF and small-signal amplifier applications.
How It Works
The 2N3822 JFET is a depletion-mode device: a reverse-biased gate-source voltage narrows the conductive channel, giving it very high input impedance since the gate draws almost no current. With very low input capacitance (about 6pF typical) and low noise (around 7nV/√Hz), it amplifies weak, high-frequency signals with minimal added noise or loading effect on the source circuit — properties specifically valuable in the first amplification stage of a sensitive VHF receiver.
Key Features
- N-channel depletion-mode JFET
- 50V rating, low input capacitance (~6pF)
- Low noise (~7nV/√Hz)
- TO-72 package, high input impedance
Typical Applications
- VHF receiver front-end amplifiers
- Low-noise small-signal amplification
- Sensitive instrumentation front-ends
- RF preamplifier circuits
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: JFETs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة 2N3822 JFET
ترانزستور 2N3822 JFET من نوع N-channel سيليكون junction FET باكدج TO-72، مقيّم 50 فولت، مصمم لتطبيقات مكبر VHF وإشارة صغيرة منخفضة الضوضاء.
إزاي شغالة
شريحة 2N3822 JFET جهاز من نوع depletion-mode: فولت جيت-سورس بانحياز عكسي بيضيّق قناة التوصيل، وده بيديها معاوقة دخل عالية جدًا بما إن الجيت تقريبًا مش بيسحب تيار. بسعة دخل منخفضة جدًا (حوالي 6 بيكوفاراد نموذجيًا) وضوضاء منخفضة (حوالي 7 نانوفولت/جذر هرتز)، بتكبّر إشارات ضعيفة وعالية التردد بأقل ضوضاء زيادة أو تأثير تحميل على دائرة المصدر — خصائص قيّمة بالتحديد في أول مرحلة تكبير في جهاز استقبال VHF حساس.
المواصفات الأساسية
- JFET من نوع N-channel depletion
- فولت 50، سعة دخل منخفضة (~6 بيكوفاراد)
- ضوضاء منخفضة (~7 نانوفولت/جذر هرتز)
- باكدج TO-72، معاوقة دخل عالية
الاستخدامات
- مقدمات مكبر أجهزة استقبال VHF
- تكبير إشارة صغيرة منخفض الضوضاء
- مقدمات أجهزة قياس حساسة
- دوائر بري أمب RF
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: ترانزستور JFET (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.