BD709
20,00 EGP
The BD709 transistor is a silicon epitaxial-base NPN power transistor in a TO-220 package, with a minimum 80V collector-emitter sustaining voltage, complementary to the PNP BD710.
ترانزستور BD709 transistor قدرة NPN سيليكون epitaxial-base باكدج TO-220، بفولت مستمر كوليكتور-إميتر 80 فولت كحد أدنى، مكمّل لـBD710 (PNP).
BD709 transistor
The BD709 transistor is a silicon epitaxial-base NPN power transistor in a TO-220 package, with a minimum 80V collector-emitter sustaining voltage, complementary to the PNP BD710.
How It Works
The BD709 transistor works as a standard NPN power device: base current controls a larger collector current while the transistor sustains at least 80V collector-emitter voltage during operation. Built for power linear and switching applications, its epitaxial-base construction gives it consistent, reliable performance. As the NPN half of a complementary pair with the PNP BD710, it’s commonly used in push-pull output stages and other designs needing matched NPN/PNP characteristics.
Key Features
- NPN epitaxial-base power transistor
- 80V minimum collector-emitter sustaining voltage
- Reliable power linear/switching performance
- TO-220 package, complementary to PNP BD710
Typical Applications
- Push-pull output stage amplifiers
- Power linear amplifier circuits
- General-purpose power switching
- Complementary NPN/PNP designs
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: Bipolar junction transistors (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة BD709 transistor
ترانزستور BD709 transistor قدرة NPN سيليكون epitaxial-base باكدج TO-220، بفولت مستمر كوليكتور-إميتر 80 فولت كحد أدنى، مكمّل لـBD710 (PNP).
إزاي شغالة
شريحة BD709 transistor بتشتغل كجهاز قدرة NPN عادي: تيار القاعدة بيتحكم في تيار كوليكتور أكبر بينما الترانزستور بيستمر بفولت كوليكتور-إميتر لحد أدنى 80 فولت أثناء التشغيل. مبنية لتطبيقات خطية وتبديل قدرة، تصميمها epitaxial-base بيديها أداء متسق وموثوق. بصفتها النص NPN من زوج تكميلي مع BD710 (PNP)، بتتستخدم كتير في مراحل خرج push-pull وتصميمات تانية محتاجة خصائص NPN/PNP متطابقة.
المواصفات الأساسية
- ترانزستور قدرة NPN من نوع epitaxial-base
- فولت مستمر كوليكتور-إميتر 80 كحد أدنى
- أداء موثوق خطي/تبديل للقدرة
- باكدج TO-220، مكمّل لـBD710 (PNP)
الاستخدامات
- مكبرات مرحلة خرج push-pull
- دوائر مكبر خطي للقدرة
- تبديل قدرة عام الاستخدام
- تصميمات تكميلية NPN/PNP
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: الترانزستور ثنائي القطبية (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
BTA16-800B Triac 16A 800V TO-220
متوفر
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.