IGBT 30G124 NPN 200A 430V
26,62 EGP
دائرة IGBT ترانزستور ثنائي القطبية NPN، 430 فولت، 200 أمبير. | The IGBT is a NPN bipolar transistor, 430V, 200A.
IGBT 30G124 NPN 200A 430V
The IGBT is a NPN bipolar junction transistor (BJT) in a standard package, rated for a 430V collector-emitter breakdown voltage (VCEO) and a maximum continuous collector current of 200A.
IGBT – How It Works
As an NPN bipolar junction transistor, it conducts collector-to-emitter current when a small positive current is applied to its base relative to the emitter, making it turn ON with a positive base drive — the most common transistor polarity used in general-purpose switching and amplifier circuits.
Its combination of voltage and current rating places it in the power-transistor class, suited to driving heavier loads directly (motors, relay coils, audio output stages, switching regulators) rather than just low-level signal amplification.
Key Features
- NPN bipolar junction transistor (BJT)
- VCEO breakdown voltage: 430V
- Max collector current: 200A
Typical Applications
- Power switching and motor/relay driving circuits
- Audio power amplifier output stages
- Switching power supply regulation
Datasheet Specifications
- Type: NPN BJT
- VCEO: 430V
- IC (max): 200A
- Package: standard
For more background, see bipolar junction transistor (BJT) theory: reference. Browse our full range of transistors.
IGBT 30G124 NPN 200A 430V
دائرة IGBT ترانزستور ثنائي القطبية (BJT) بقطبية NPN في تغليفة قياسية، مصنفة بـجهد انهيار كولكتور-باعث (VCEO) 430 فولت وأقصى تيار كولكتور مستمر 200 أمبير.
IGBT – إزاي شغالة
كترانزستور ثنائي القطبية NPN، بيوصل تيار من الكولكتور للباعث لما تيار موجب صغير يتطبق على قاعدتها بالنسبة للباعث، وده بيخليها تشتغل (ON) بتشغيل قاعدة موجب — أشهر قطبية ترانزستور مستخدمة في دوائر تبديل وتضخيم للأغراض العامة.
تركيبة تصنيف الجهد والتيار بتاعتها بتحطها في فئة ترانزستور القدرة، مناسبة لتشغيل أحمال أتقل مباشرة (موتورات، ملفات ريلاي، مراحل خرج صوتي، منظمات سويتشينج) بدل بس تضخيم إشارة مستوى منخفض.
المواصفات الأساسية
- ترانزستور ثنائي القطبية (BJT) قطبية NPN
- جهد انهيار VCEO: 430 فولت
- أقصى تيار كولكتور: 200 أمبير
الاستخدامات
- دوائر تبديل قدرة وتشغيل موتور/ريلاي
- مراحل خرج مضخم قدرة صوتي
- تنظيم مزود طاقة سويتشينج
المواصفات الفنية
- النوع: BJT NPN
- VCEO: 430 فولت
- IC (أقصى): 200 أمبير
- التغليف: standard
لمزيد من التفاصيل التقنية راجع نظرية الترانزستور ثنائي القطبية (BJT) على ويكيبيديا، وتصفح باقي الترانزستورات المتوفرة عندنا.
منتجات مشابهة
BTA16-800B Triac 16A 800V TO-220
متوفر
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.