BUR50
200,00 EGP
The BUR50 transistor is a high-current NPN silicon multi-epitaxial transistor in a TO-3 package, rated 125V / 70A with fast switching, for industrial linear and switching equipment.
ترانزستور BUR50 transistor عالي التيار NPN سيليكون multi-epitaxial باكدج TO-3، مقيّم 125 فولت / 70 أمبير بتبديل سريع، لمعدات صناعية خطية وتبديل.
BUR50 transistor
The BUR50 transistor is a high-current NPN silicon multi-epitaxial transistor in a TO-3 package, rated 125V / 70A with fast switching, for industrial linear and switching equipment.
How It Works
The BUR50 transistor is built for very high current handling: a rated 70A collector current at 125V, dissipating up to 350W in its rugged TO-3 metal package. Its multi-epitaxial construction gives it a fast transition frequency (10MHz) despite the high current rating, meaning it can switch relatively quickly for a device of this power class — a combination valued in demanding industrial equipment that needs both high current capacity and responsive switching.
Key Features
- NPN multi-epitaxial high-current transistor
- 125V collector-emitter voltage, 70A collector current
- Fast transition frequency (10MHz)
- TO-3 package, 350W dissipation
Typical Applications
- Industrial linear power equipment
- High-current switching applications
- Motor control and driver circuits
- Military and industrial power systems
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: Bipolar junction transistors (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة BUR50 transistor
ترانزستور BUR50 transistor عالي التيار NPN سيليكون multi-epitaxial باكدج TO-3، مقيّم 125 فولت / 70 أمبير بتبديل سريع، لمعدات صناعية خطية وتبديل.
إزاي شغالة
شريحة BUR50 transistor مبنية لتحمل تيار عالي جدًا: تيار كوليكتور مقيّم 70 أمبير على 125 فولت، بتبديد لحد 350 وات في باكدج TO-3 المعدني المتين بتاعها. تصميمها multi-epitaxial بيديها تردد انتقال سريع (10 ميجاهرتز) رغم تقييم التيار العالي، يعني تقدر تتبدّل بسرعة معقولة لجهاز في فئة القدرة دي — تركيبة قيّمة في المعدات الصناعية الصعبة اللي محتاجة سعة تيار عالية وتبديل سريع الاستجابة مع بعض.
المواصفات الأساسية
- ترانزستور عالي التيار NPN من نوع multi-epitaxial
- فولت كوليكتور-إميتر 125، تيار كوليكتور 70 أمبير
- تردد انتقال سريع (10 ميجاهرتز)
- باكدج TO-3، تبديد 350 وات
الاستخدامات
- معدات قدرة خطية صناعية
- تطبيقات تبديل عالية التيار
- دوائر التحكم وتشغيل الموتور
- أنظمة طاقة عسكرية وصناعية
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: الترانزستور ثنائي القطبية (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
BTA16-800B Triac 16A 800V TO-220
متوفر
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.