BDY28
200,00 EGP
The BDY28 transistor is an NPN silicon power transistor rated 250V minimum collector-emitter breakdown voltage / 6A, designed for low-frequency signal power amplifier applications.
ترانزستور BDY28 transistor قدرة NPN سيليكون، مقيّم 250 فولت فولت انهيار كوليكتور-إميتر كحد أدنى / 6 أمبير، مصمم لتطبيقات مكبر قدرة إشارة منخفضة التردد.
BDY28 transistor
The BDY28 transistor is an NPN silicon power transistor rated 250V minimum collector-emitter breakdown voltage / 6A, designed for low-frequency signal power amplifier applications.
How It Works
The BDY28 transistor is a standard NPN power device with a notably high 250V minimum breakdown voltage combined with 6A current handling, able to operate up to 200°C junction temperature. This voltage/current/temperature profile made it well suited to low-frequency (audio-range) power amplifier stages of its era, where the transistor needed to handle both meaningful voltage swings and substantial output current without the extreme speed demands of RF or deflection applications.
Key Features
- NPN silicon power transistor
- 250V minimum breakdown voltage, 6A collector current
- Operates up to 200°C junction temperature
- Designed for LF power amplifier duty
Typical Applications
- Low-frequency (audio) power amplifiers
- Vintage audio equipment repair
- General-purpose power switching
- Signal amplifier output stages
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: Bipolar junction transistors (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة BDY28 transistor
ترانزستور BDY28 transistor قدرة NPN سيليكون، مقيّم 250 فولت فولت انهيار كوليكتور-إميتر كحد أدنى / 6 أمبير، مصمم لتطبيقات مكبر قدرة إشارة منخفضة التردد.
إزاي شغالة
شريحة BDY28 transistor جهاز قدرة NPN عادي بفولت انهيار عالي بشكل ملحوظ 250 فولت كحد أدنى مع تحمل تيار 6 أمبير، وتقدر تشتغل لحد حرارة وصلة 200 درجة مئوية. بروفايل الفولت/التيار/الحرارة ده خلاها مناسبة لمراحل مكبر قدرة منخفض التردد (نطاق الصوت) في عصرها، اللي الترانزستور فيها محتاج يتحمل تأرجحات فولت ملموسة وتيار خرج كبير من غير متطلبات السرعة الشديدة لتطبيقات RF أو الانحراف.
المواصفات الأساسية
- ترانزستور قدرة NPN سيليكون
- فولت انهيار 250 كحد أدنى، تيار كوليكتور 6 أمبير
- يعمل لحد حرارة وصلة 200 درجة
- مصمم لعمل مكبر قدرة منخفض التردد
الاستخدامات
- مكبرات قدرة منخفضة التردد (صوت)
- صيانة أجهزة صوت قديمة
- تبديل قدرة عام الاستخدام
- مراحل خرج مكبر إشارة
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: الترانزستور ثنائي القطبية (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
BTA16-800B Triac 16A 800V TO-220
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.