BFX89
200,00 EGP
The BFX89 transistor is an NPN silicon epitaxial planar RF transistor in a TO-72 package, designed for wide-band VHF/UHF amplifier, oscillator, and converter applications up to 1GHz.
ترانزستور BFX89 transistor NPN سيليكون planar للترددات اللاسلكية باكدج TO-72، مصمم لتطبيقات مكبر VHF/UHF عريض النطاق والأوسيليتور والمحول لحد 1 جيجاهرتز.
BFX89 transistor
The BFX89 transistor is an NPN silicon epitaxial planar RF transistor in a TO-72 package, designed for wide-band VHF/UHF amplifier, oscillator, and converter applications up to 1GHz.
How It Works
The BFX89 transistor uses an interdigitated base-emitter geometry — a comb-like layout that maximizes the emitter edge length relative to area — specifically to extend its useful frequency range for wide-band common-emitter linear amplification up to 1GHz. This RF-optimized construction makes it suited to VHF and UHF amplifier, oscillator, and frequency-converter circuits, where a general-purpose transistor’s parasitic capacitances would otherwise limit performance well below that frequency range.
Key Features
- NPN silicon epitaxial planar RF transistor
- Interdigitated base-emitter geometry
- Wide-band amplification up to 1GHz
- TO-72 hermetic package
Typical Applications
- VHF/UHF amplifier circuits
- RF oscillator circuits
- Frequency converter applications
- Broadband linear amplifier stages
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: Radio frequency circuits (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة BFX89 transistor
ترانزستور BFX89 transistor NPN سيليكون planar للترددات اللاسلكية باكدج TO-72، مصمم لتطبيقات مكبر VHF/UHF عريض النطاق والأوسيليتور والمحول لحد 1 جيجاهرتز.
إزاي شغالة
شريحة BFX89 transistor بتستخدم هندسة قاعدة-إميتر متشابكة (interdigitated) — تخطيط شبيه بالمشط بيكبّر طول حافة الإميتر بالنسبة للمساحة — بالتحديد عشان تمدد نطاق التردد المفيد بتاعها للتكبير الخطي عريض النطاق common-emitter لحد 1 جيجاهرتز. التصميم المحسّن لـRF ده بيخليها مناسبة لدوائر مكبر وأوسيليتور ومحول تردد VHF وUHF، اللي سعات الترانزستور الطفيلية العامة كانت هتحد أداءه تحت نطاق التردد ده بكتير.
المواصفات الأساسية
- ترانزستور RF سيليكون planar من نوع epitaxial
- هندسة قاعدة-إميتر متشابكة
- تكبير عريض النطاق لحد 1 جيجاهرتز
- باكدج TO-72 محكم القفل
الاستخدامات
- دوائر مكبر VHF/UHF
- دوائر أوسيليتور RF
- تطبيقات محول التردد
- مراحل مكبر خطي عريض النطاق
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: دوائر الترددات اللاسلكية (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.