MOSFET IRF9540N PNP 19A 100V
35,94 EGP
The IRF9540N MOSFET is a P-channel power MOSFET in a TO-220 package, rated -100V / -23A, the P-channel complement commonly paired with N-channel MOSFETs like the IRF540N.
موسفت IRF9540N MOSFET قدرة P-channel باكدج TO-220، مقيّم -100 فولت / -23 أمبير، المكمّل P-channel اللي بيتزاوج غالبًا مع موسفتات N-channel زي IRF540N.
IRF9540N MOSFET
The IRF9540N MOSFET is a P-channel power MOSFET in a TO-220 package, rated -100V / -23A, the P-channel complement commonly paired with N-channel MOSFETs like the IRF540N.
How It Works
As a P-channel device, the IRF9540N MOSFET turns on when its gate-source voltage is pulled negative, opening a conductive channel and letting current flow from source to drain — the mirror image of N-channel operation. With an on-resistance around 117mΩ and current handling to -23A, it’s built using HEXFET technology for low conduction losses. Designers reach for P-channel MOSFETs like this specifically when they need to switch the high side of a supply rail (the positive-voltage side), which is awkward for an N-channel device but straightforward for a P-channel one.
Key Features
- P-channel HEXFET power MOSFET
- -100V drain-source voltage, -23A drain current
- RDS(on) ~117mΩ
- TO-220 package, complements N-channel MOSFETs
Typical Applications
- High-side power switching
- Complementary H-bridge motor drivers
- Battery reverse-polarity protection circuits
- General P-channel switching applications
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: Power MOSFETs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة IRF9540N MOSFET
موسفت IRF9540N MOSFET قدرة P-channel باكدج TO-220، مقيّم -100 فولت / -23 أمبير، المكمّل P-channel اللي بيتزاوج غالبًا مع موسفتات N-channel زي IRF540N.
إزاي شغالة
بصفته جهاز P-channel، موسفت IRF9540N MOSFET بيتشغّل لما فولت جيت-سورس يتسحب سالب، وده بيفتح قناة موصّلة ويخلي التيار يعدي من السورس للدرين — عكس تشغيل N-channel. بمقاومة تشغيل حوالي 117 ميلي أوم وتحمل تيار لحد -23 أمبير، هو مبني بتقنية HEXFET لفقد توصيل منخفض. المصممين بيلجأوا لموسفتات P-channel زي دي بالتحديد لما يحتاجوا يبدّلوا الجانب العالي من خط التغذية (جانب الفولت الموجب)، اللي صعب مع جهاز N-channel بس سهل مع P-channel.
المواصفات الأساسية
- موسفت قدرة P-channel من نوع HEXFET
- فولت درين-سورس -100، تيار درين -23 أمبير
- مقاومة تشغيل ~117 ميلي أوم
- باكدج TO-220، يكمّل موسفتات N-channel
الاستخدامات
- تبديل الجانب العالي من الطاقة
- درايفرات موتور H-bridge تكميلية
- دوائر حماية عكس قطبية البطارية
- تطبيقات تبديل P-channel عامة
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: موسفت القدرة (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
منتجات مشابهة
LM35DZ Temperature Sensor TO-92 Original
متوفر
MOSFET IRF3205 NPN 110A 55V
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.