IRFD220

IRFD220 MOSFET

The IRFD220 MOSFET is an N-channel HEXFET power MOSFET in a compact 4-pin HD-1 mini-DIP package, rated 200V / 0.8A with fast switching for automated assembly designs.

How It Works

The IRFD220 MOSFET is a small N-channel power MOSFET: a positive gate-source voltage opens a conductive drain-source channel (around 0.8Ω on-resistance), letting current flow with minimal loss. Despite its miniature 4-pin DIP footprint designed for low-cost, machine-insertable, end-stackable assembly, it still handles a respectable 200V and switches quickly (rise time ~22ns), with dynamic dv/dt and repetitive avalanche ratings that add ruggedness against voltage transients — useful in compact, automated-assembly power switching designs.

Key Features

• N-channel HEXFET power MOSFET
• 200V drain-source voltage, 0.8A drain current
• Fast switching, ~22ns rise time
• Compact 4-pin HD-1 mini-DIP package

Typical Applications

• Automated PCB assembly power switching
• Low-side switching in compact designs
• General logic-level MOSFET switching
• Small-signal power control circuits

Specifications

See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.

Reference: Power MOSFETs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.

شريحة IRFD220 MOSFET

موسفت IRFD220 MOSFET قدرة N-channel من نوع HEXFET باكدج HD-1 مصغّر 4 أطراف، مقيّم 200 فولت / 0.8 أمبير بتبديل سريع لتصميمات التجميع الآلي.

إزاي شغالة

موسفت IRFD220 MOSFET موسفت قدرة N-channel صغير: فولت جيت-سورس موجب بيفتح قناة درين-سورس موصّلة (مقاومة تشغيل حوالي 0.8 أوم)، وده بيخلي التيار يعدي بأقل فقد. رغم بصمته المصغّرة DIP بـ4 أطراف المصممة للتجميع الآلي الرخيص والقابل للتكديس الطرفي، هي لسه بتتحمل 200 فولت محترمة وتتبدّل بسرعة (زمن صعود ~22 نانوثانية)، مع تقييمات dv/dt الديناميكي والانهيار المتكرر اللي بتزود متانتها ضد تأرجحات الفولت — مفيدة في تصميمات تبديل طاقة مدمجة وتجميع آلي.

المواصفات الأساسية

• موسفت قدرة N-channel من نوع HEXFET
• فولت درين-سورس 200، تيار درين 0.8 أمبير
• تبديل سريع، زمن صعود ~22 نانوثانية
• باكدج HD-1 مصغّر بـ4 أطراف

الاستخدامات

• تبديل طاقة في التجميع الآلي للبوردات
• تبديل الجانب المنخفض في تصميمات مدمجة
• تبديل موسفت عام بمستوى لوجيك
• دوائر تحكم طاقة إشارة صغيرة

المواصفات الفنية

راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.

مصدر: موسفت القدرة (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.