C2655

350,00 EGP

The C2655 transistor (2SC2655) is an NPN silicon epitaxial transistor in a TO-92L package, rated 50V / 2A, for power amplifier, industrial, and power switching applications.

ترانزستور C2655 transistor (2SC2655) NPN سيليكون epitaxial باكدج TO-92L، مقيّم 50 فولت / 2 أمبير، لتطبيقات مكبر القدرة والصناعة والتبديل.

Description

C2655 transistor

The C2655 transistor (2SC2655) is an NPN silicon epitaxial transistor in a TO-92L package, rated 50V / 2A, for power amplifier, industrial, and power switching applications.

How It Works

The C2655 transistor packs a relatively high 2A current rating into a compact TO-92L (larger-lead TO-92 variant) package, more current capacity than a typical small-signal TO-92 transistor while staying easy to hand-solder. With a low 0.5V saturation voltage and fast switching (around 1µs), it amplifies or switches efficiently without excessive heat buildup, and its graded hFE bins (O: 70-140, Y: 120-240) let designers select a specific gain range for the application at hand.

Key Features

  • NPN silicon epitaxial transistor
  • 50V VCEO, 2A collector current
  • Low saturation voltage (0.5V), fast switching
  • TO-92L package, graded hFE bins

Typical Applications

  • Power amplifier stages
  • Industrial switching applications
  • General-purpose power switching
  • Driver circuits for moderate loads

Specifications

See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.

Reference: Bipolar junction transistors (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.


شريحة C2655 transistor

ترانزستور C2655 transistor (2SC2655) NPN سيليكون epitaxial باكدج TO-92L، مقيّم 50 فولت / 2 أمبير، لتطبيقات مكبر القدرة والصناعة والتبديل.

إزاي شغالة

شريحة C2655 transistor بتحشر تقييم تيار عالي نسبيًا 2 أمبير في باكدج TO-92L مدمج (نسخة TO-92 بأرجل أكبر)، سعة تيار أكبر من ترانزستور TO-92 إشارة صغيرة عادي وهي لسه سهلة اللحام اليدوي. بفولت تشبع منخفض 0.5 فولت وتبديل سريع (حوالي 1 ميكروثانية)، بتكبّر أو تبدّل بكفاءة من غير تراكم حرارة زيادة، ودرجات hFE المصنّفة بتاعتها (O: 70-140، Y: 120-240) بتخلي المصمم يختار نطاق كسب محدد للتطبيق.

المواصفات الأساسية

  • ترانزستور سيليكون NPN من نوع epitaxial
  • فولت VCEO 50، تيار كوليكتور 2 أمبير
  • فولت تشبع منخفض (0.5)، تبديل سريع
  • باكدج TO-92L، درجات hFE مصنّفة

الاستخدامات

  • مراحل مكبر القدرة
  • تطبيقات التبديل الصناعية
  • تبديل قدرة عام الاستخدام
  • دوائر درايفر لأحمال متوسطة

المواصفات الفنية

راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.

مصدر: الترانزستور ثنائي القطبية (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.

Additional information
Weight 0,00 kg
Dimensions 0,00 × 0,00 × 0,00 cm
Shipping & Delivery
Reviews (0)
0 reviews
0
0
0
0
0

الآراء

Clear filters

لسه مفيش تقييمات.

كن أول من يقيم “C2655”

بريدك الإلكتروني مش هيتنشر. الخانات المطلوبة معلّمة بـ *

لازم تكون مسجل دخول عشان تقدر تضيف صور لمراجعتك.

0 reviews
0
0
0
0
0

الآراء

Clear filters

لسه مفيش تقييمات.

كن أول من يقيم “C2655”

بريدك الإلكتروني مش هيتنشر. الخانات المطلوبة معلّمة بـ *

لازم تكون مسجل دخول عشان تقدر تضيف صور لمراجعتك.