SUP75P05-08

SUP75P05-08 MOSFET

The SUP75P05-08 MOSFET is a Vishay Siliconix P-channel power MOSFET in a TO-220 package, rated 55V / 75A with an extremely low 8mΩ on-resistance.

How It Works

The SUP75P05-08 MOSFET turns on when its gate-source voltage is pulled negative, opening a P-channel conductive path with an extremely low on-resistance of about 8mΩ — meaning it can carry its rated 75A with minimal voltage drop and heat generation. Rated to handle 250W of dissipation, it’s built for high-side power switching applications where a P-channel device simplifies driving compared to an N-channel MOSFET on the positive supply rail.

Key Features

• P-channel power MOSFET
• 55V drain-source voltage, 75A drain current
• Extremely low RDS(on) ~8mΩ
• TO-220 package, 250W dissipation

Typical Applications

• High-side power switching
• Battery reverse-polarity protection
• Complementary H-bridge motor drivers
• High-current DC switching applications

Specifications

See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.

Reference: Power MOSFETs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.

شريحة SUP75P05-08 MOSFET

موسفت SUP75P05-08 MOSFET من Vishay Siliconix قدرة P-channel باكدج TO-220، مقيّم 55 فولت / 75 أمبير بمقاومة تشغيل منخفضة جدًا 8 ميلي أوم.

إزاي شغالة

موسفت SUP75P05-08 MOSFET بيتشغّل لما فولت جيت-سورس يتسحب سالب، وده بيفتح مسار توصيل P-channel بمقاومة تشغيل منخفضة جدًا حوالي 8 ميلي أوم — يعني يقدر يحمل تقييمه 75 أمبير بأقل هبوط فولت وتوليد حرارة. مقيّمة تتحمل 250 وات تبديد، هي مبنية لتطبيقات تبديل الجانب العالي من الطاقة اللي جهاز P-channel بيبسّط فيها التشغيل مقارنة بموسفت N-channel على خط التغذية الموجب.

المواصفات الأساسية

• موسفت قدرة P-channel
• فولت درين-سورس 55، تيار درين 75 أمبير
• مقاومة تشغيل منخفضة جدًا ~8 ميلي أوم
• باكدج TO-220، تبديد 250 وات

الاستخدامات

• تبديل الجانب العالي من الطاقة
• حماية عكس قطبية البطارية
• درايفرات موتور H-bridge تكميلية
• تطبيقات تبديل DC عالية التيار

المواصفات الفنية

راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.

مصدر: موسفت القدرة (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.