MJE13006
8,00 EGP
The MJE13006 transistor is an NPN multi-epitaxial mesa power transistor in a TO-220 package, rated 700V VCBO / 8A, used in switching regulators and motor control.
ترانزستور MJE13006 transistor قدرة NPN من نوع multi-epitaxial mesa باكدج TO-220، مقيّم 700 فولت VCBO / 8 أمبير، يُستخدم في منظمات سويتشينج والتحكم بالموتور.
MJE13006 transistor
The MJE13006 transistor is an NPN multi-epitaxial mesa power transistor in a TO-220 package, rated 700V VCBO / 8A, used in switching regulators and motor control.
How It Works
The MJE13006 transistor uses a multi-epitaxial mesa structure engineered to sustain a very high 700V collector-base voltage while still switching effectively as an NPN device carrying up to 8A. That combination of high voltage tolerance and solid current handling is exactly what a transistor needs to survive directly across a rectified mains-derived DC bus, which is why it’s a standard choice for the primary switching element in switching regulators, DC-DC converters, and fluorescent lamp electronic ballasts.
Key Features
- NPN multi-epitaxial mesa power transistor
- 700V VCBO, 300V VCEO
- 8A collector current, 80W dissipation
- TO-220 package
Typical Applications
- Switching regulators and DC-DC converters
- Fluorescent lamp electronic ballasts
- Motor control circuits
- High-voltage switching applications
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: Switch-mode power supplies (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة MJE13006 transistor
ترانزستور MJE13006 transistor قدرة NPN من نوع multi-epitaxial mesa باكدج TO-220، مقيّم 700 فولت VCBO / 8 أمبير، يُستخدم في منظمات سويتشينج والتحكم بالموتور.
إزاي شغالة
شريحة MJE13006 transistor بتستخدم تركيب multi-epitaxial mesa مصمم هندسيًا يتحمل فولت كوليكتور-قاعدة عالي جدًا 700 فولت وهي لسه بتبدّل بفعالية كجهاز NPN شايل لحد 8 أمبير. التركيبة دي من تحمل فولت عالي وتحمل تيار قوي بالظبط اللي الترانزستور محتاجها عشان يعيش مباشرة عبر باص DC مشتق من الكهرباء الرئيسية بعد التقويم، وعشان كده هي اختيار قياسي لعنصر التبديل الأساسي في منظمات سويتشينج ومحولات DC-DC وبالاست لمبات الفلورسنت الإلكتروني.
المواصفات الأساسية
- ترانزستور قدرة NPN من نوع multi-epitaxial mesa
- فولت VCBO 700، VCEO 300
- تيار كوليكتور 8 أمبير، تبديد 80 وات
- باكدج TO-220
الاستخدامات
- منظمات سويتشينج ومحولات DC-DC
- بالاست لمبات الفلورسنت الإلكتروني
- دوائر التحكم في الموتور
- تطبيقات تبديل عالية الفولت
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: مصادر التغذية السويتشينج (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
BTA16-800B Triac 16A 800V TO-220
متوفر
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.