GT30G124
65,00 EGP
The GT30G124 IGBT is an N-channel insulated-gate bipolar transistor rated 430V with a 200A current capability, used in plasma display panels and high-current switching applications.
شريحة GT30G124 IGBT من نوع N-channel من نوع IGBT (بوابة معزولة)، مقيّمة 430 فولت بتحمل تيار 200 أمبير، تُستخدم في شاشات البلازما وتطبيقات التبديل عالي التيار.
GT30G124 IGBT
The GT30G124 IGBT is an N-channel insulated-gate bipolar transistor rated 430V with a 200A current capability, used in plasma display panels and high-current switching applications.
How It Works
The GT30G124 IGBT switches on and off via its gate-emitter voltage like a MOSFET, but conducts current like a bipolar transistor once on, letting it handle a very high 200A peak current rating while blocking up to 430V. This combination of MOSFET-like ease of control with bipolar-like current capacity in the TO-220F package made it a fit for demanding applications like plasma display panel sustain circuits, where large currents must be switched repeatedly and efficiently.
Key Features
- N-channel IGBT (insulated-gate bipolar transistor)
- 430V collector-emitter voltage
- 200A peak current capability
- TO-220F (TO-220SIS) package
Typical Applications
- Plasma display panel sustain circuits
- High-current switching applications
- Pulsed power circuits
- Industrial power electronics
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: IGBTs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة GT30G124 IGBT
شريحة GT30G124 IGBT من نوع N-channel من نوع IGBT (بوابة معزولة)، مقيّمة 430 فولت بتحمل تيار 200 أمبير، تُستخدم في شاشات البلازما وتطبيقات التبديل عالي التيار.
إزاي شغالة
شريحة GT30G124 IGBT بتتشغّل وتتقفل عن طريق فولت جيت-إميتر زي الموسفت، بس بتوصّل التيار زي ترانزستور ثنائي القطبية بمجرد ما تتشغّل، وده بيخليها تتحمل تقييم تيار ذروة عالي جدًا 200 أمبير وهي بتحجب لحد 430 فولت. التركيبة دي من سهولة تحكم شبه الموسفت مع سعة تيار شبه ثنائي القطبية في باكدج TO-220F خلتها مناسبة لتطبيقات صعبة زي دوائر sustain في شاشات البلازما، اللي تيارات كبيرة لازم تتبدّل بشكل متكرر وكفء.
المواصفات الأساسية
- IGBT من نوع N-channel (ترانزستور بوابة معزولة)
- فولت كوليكتور-إميتر 430
- قدرة تيار ذروة 200 أمبير
- باكدج TO-220F (TO-220SIS)
الاستخدامات
- دوائر sustain في شاشات البلازما
- تطبيقات تبديل عالية التيار
- دوائر طاقة نبضية
- إلكترونيات طاقة صناعية
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: ترانزستور IGBT (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
BTA16-800B Triac 16A 800V TO-220
متوفر
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.