SUPP75N03-04

SUP75N03-04 MOSFET

The SUP75N03-04 MOSFET is a Vishay Siliconix TrenchFET N-channel power MOSFET, rated 30V / 75A with an extremely low 4mΩ on-resistance, for high-current low-voltage switching.

How It Works

Built with TrenchFET technology (which forms the conductive channel vertically for a very compact, low-resistance structure), the SUP75N03-04 MOSFET achieves an extremely low on-resistance of about 4mΩ, letting it carry a rated 75A while wasting very little power as heat. Its relatively low 30V rating pairs perfectly with this profile — it’s optimized for battery-powered and low-voltage systems that need to switch very high currents efficiently, such as battery protection circuits and low-voltage motor drives.

Key Features

• N-channel TrenchFET power MOSFET
• 30V drain-source voltage, 75A drain current
• Extremely low RDS(on) ~4mΩ
• TO-220AB/TO-263 package

Typical Applications

• Battery protection circuits
• Low-voltage, high-current motor drives
• DC-DC converters for battery systems
• General low-voltage power switching

Specifications

See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.

Reference: Power MOSFETs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.

شريحة SUP75N03-04 MOSFET

موسفت SUP75N03-04 MOSFET من Vishay Siliconix من نوع TrenchFET قدرة N-channel، مقيّم 30 فولت / 75 أمبير بمقاومة تشغيل منخفضة جدًا 4 ميلي أوم، للتبديل عالي التيار منخفض الفولت.

إزاي شغالة

مبنية بتقنية TrenchFET (اللي بتكوّن قناة التوصيل عموديًا لبنية مدمجة جدًا ومنخفضة المقاومة)، موسفت SUP75N03-04 MOSFET بتحقق مقاومة تشغيل منخفضة جدًا حوالي 4 ميلي أوم، وده بيخليها تحمل تقييمها 75 أمبير من غير ما تضيع طاقة كتير كحرارة. تقييمها المنخفض نسبيًا 30 فولت بيتناسب تمامًا مع البروفايل ده — هي محسّنة لأنظمة تعمل بالبطارية ومنخفضة الفولت المحتاجة تبدّل تيارات عالية جدًا بكفاءة، زي دوائر حماية البطارية ومحولات موتور منخفضة الفولت.

المواصفات الأساسية

• موسفت قدرة N-channel من نوع TrenchFET
• فولت درين-سورس 30، تيار درين 75 أمبير
• مقاومة تشغيل منخفضة جدًا ~4 ميلي أوم
• باكدج TO-220AB/TO-263

الاستخدامات

• دوائر حماية البطارية
• محولات موتور منخفضة الفولت وعالية التيار
• محولات DC-DC لأنظمة البطارية
• تبديل طاقة منخفض الفولت عام

المواصفات الفنية

راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.

مصدر: موسفت القدرة (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.