GT30J322

GT30J322 IGBT

The GT30J322 IGBT is a Toshiba N-channel insulated-gate bipolar transistor rated 600V, designed for high-speed current-resonance inverter switching applications.

How It Works

An IGBT like the GT30J322 IGBT combines the easy voltage-controlled gate of a MOSFET with the low-loss, high-current conduction characteristics of a bipolar transistor: a gate-emitter voltage switches it on and off, while internally it behaves like a bipolar device once conducting, giving a low saturation voltage (about 2.1V typical at 50A) even at high current. Its fourth-generation design targets fast switching (turn-off fall time around 0.25µs), which is exactly what’s needed in current-resonance inverter circuits that switch at high frequency.

Key Features

• N-channel IGBT (insulated-gate bipolar transistor)
• 600V collector-emitter voltage, 30A DC current
• Low saturation voltage ~2.1V @ 50A
• Fast switching (tf ~0.25µs), fourth-generation design

Typical Applications

• Current-resonance inverter circuits
• Induction heating equipment
• High-frequency switching power supplies
• Motor drive inverters

Specifications

See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.

Reference: IGBTs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.

شريحة GT30J322 IGBT

شريحة GT30J322 IGBT من توشيبا، ترانزستور N-channel من نوع IGBT (بوابة معزولة)، مقيّم 600 فولت، مصمم لتطبيقات تبديل محولات الرنين التيار عالية السرعة.

إزاي شغالة

IGBT زي GT30J322 IGBT بيجمع بين سهولة تحكم فولت الجيت بتاع الموسفت وخصائص التوصيل منخفض الفقد وعالي التيار بتاعة الترانزستور ثنائي القطبية: فولت جيت-إميتر بيشغّله ويقفله، وداخليًا بيتصرف زي جهاز ثنائي القطبية بمجرد ما يوصّل، وده بيديه فولت تشبع منخفض (حوالي 2.1 فولت نموذجيًا عند 50 أمبير) حتى عند تيار عالي. تصميمه من الجيل الرابع مستهدف تبديل سريع (زمن هبوط إيقاف حوالي 0.25 ميكروثانية)، وده بالظبط اللي محتاجينه في دوائر محولات الرنين التيار اللي بتبدّل بتردد عالي.

المواصفات الأساسية

• IGBT من نوع N-channel (ترانزستور بوابة معزولة)
• فولت كوليكتور-إميتر 600، تيار DC 30 أمبير
• فولت تشبع منخفض ~2.1 فولت عند 50 أمبير
• تبديل سريع (~0.25 ميكروثانية)، تصميم جيل رابع

الاستخدامات

• دوائر محولات الرنين التيار
• معدات التسخين بالحث
• مصادر تغذية سويتشينج عالية التردد
• محولات تشغيل الموتور

المواصفات الفنية

راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.

مصدر: ترانزستور IGBT (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.