2N7000
2,50 EGP
The 2N7000 MOSFET is an N-channel enhancement-mode MOSFET in a TO-92 package, rated 60V with 200mA continuous / 2A pulsed drain current, for low-voltage logic-level switching.
موسفت 2N7000 MOSFET من نوع N-channel enhancement، باكدج TO-92، مقيّم 60 فولت بتيار درين 200 مللي أمبير مستمر / 2 أمبير نبضي، للتبديل منخفض الفولت بمستوى لوجيك.
2N7000 MOSFET
The 2N7000 MOSFET is an N-channel enhancement-mode MOSFET in a TO-92 package, rated 60V with 200mA continuous / 2A pulsed drain current, for low-voltage logic-level switching.
How It Works
Built using DMOS technology to minimize on-resistance, the 2N7000 MOSFET turns on when its gate-source voltage exceeds its threshold (typically 0.8-3V), opening a low-resistance path between drain and source. While its continuous current rating is a modest 200mA, its DMOS construction allows it to briefly handle pulsed currents up to 2A, giving it flexibility for both steady switching duty and short current spikes — such as driving a small servo motor or acting as a gate driver for a larger power MOSFET.
Key Features
- N-channel enhancement-mode DMOS FET
- 60V drain-source voltage rating
- 200mA continuous / 2A pulsed drain current
- TO-92 package, logic-level compatible
Typical Applications
- Small servo motor control
- Gate driver for larger power MOSFETs
- Low-power switching applications
- General logic-level MOSFET switching
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: Power MOSFETs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة 2N7000 MOSFET
موسفت 2N7000 MOSFET من نوع N-channel enhancement، باكدج TO-92، مقيّم 60 فولت بتيار درين 200 مللي أمبير مستمر / 2 أمبير نبضي، للتبديل منخفض الفولت بمستوى لوجيك.
إزاي شغالة
متصممة بتقنية DMOS عشان تقلل مقاومة التشغيل، شريحة 2N7000 MOSFET بتتشغّل لما فولت جيت-سورس يعدّي حد العتبة بتاعها (عادة 0.8-3 فولت)، وده بيفتح مسار منخفض المقاومة بين الدرين والسورس. رغم إن تقييم التيار المستمر بتاعها متواضع (200 مللي أمبير)، تصميم DMOS بيخليها تتحمل لفترة قصيرة تيارات نبضية لحد 2 أمبير، وده بيديها مرونة لكل من التبديل الثابت ونبضات التيار القصيرة — زي تشغيل موتور سيرفو صغير أو كدرايفر جيت لموسفت قدرة أكبر.
المواصفات الأساسية
- موسفت N-channel من نوع enhancement DMOS
- فولت درين-سورس مقيّم 60
- تيار درين 200 مللي أمبير مستمر / 2 أمبير نبضي
- باكدج TO-92، متوافق مع مستوى لوجيك
الاستخدامات
- التحكم في موتور سيرفو صغير
- درايفر جيت لموسفت قدرة أكبر
- تطبيقات التبديل منخفضة القدرة
- تبديل موسفت عام بمستوى لوجيك
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: موسفت القدرة (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
BTA16-800B Triac 16A 800V TO-220
متوفر
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.