GT15J103
200,00 EGP
The GT15J103 IGBT is a Toshiba N-channel insulated-gate bipolar transistor, part of the GT15J series, designed for high-power switching and motor control applications.
شريحة GT15J103 IGBT من توشيبا، ترانزستور N-channel من نوع IGBT (بوابة معزولة)، جزء من سلسلة GT15J، مصممة لتطبيقات التبديل عالي القدرة والتحكم بالموتور.
GT15J103 IGBT
The GT15J103 IGBT is a Toshiba N-channel insulated-gate bipolar transistor, part of the GT15J series, designed for high-power switching and motor control applications.
How It Works
Like other IGBTs, the GT15J103 IGBT combines a MOSFET-style voltage-controlled gate with the low-loss, high-current conduction behavior of a bipolar transistor: a gate-emitter voltage switches it on and off with very little drive current needed, while internally it conducts efficiently even at high current. This makes it well suited to switching substantial motor or inverter loads, where the ease of gate control plus the current-handling capability of an IGBT beats either a standalone MOSFET or bipolar transistor for the job.
Key Features
- N-channel IGBT (insulated-gate bipolar transistor)
- Part of Toshiba GT15J series
- MOSFET-like gate control, bipolar-like conduction
- Built for high-power switching
Typical Applications
- Motor drive inverters
- High-power switching power supplies
- Industrial motor control
- General-purpose IGBT switching applications
Specifications
See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.
Reference: IGBTs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.
شريحة GT15J103 IGBT
شريحة GT15J103 IGBT من توشيبا، ترانزستور N-channel من نوع IGBT (بوابة معزولة)، جزء من سلسلة GT15J، مصممة لتطبيقات التبديل عالي القدرة والتحكم بالموتور.
إزاي شغالة
زي غيرها من IGBTs، شريحة GT15J103 IGBT بتجمع بوابة متحكم بالفولت على طريقة الموسفت مع سلوك التوصيل منخفض الفقد وعالي التيار بتاع الترانزستور ثنائي القطبية: فولت جيت-إميتر بيشغّلها ويقفلها بأقل تيار تشغيل مطلوب، وداخليًا بتوصّل بكفاءة حتى عند تيار عالي. ده بيخليها مناسبة لتبديل أحمال موتور أو محول كبيرة، اللي سهولة التحكم في الجيت مع قدرة تحمل التيار بتاعة الـIGBT بتتفوق على موسفت منفرد أو ترانزستور ثنائي القطبية للمهمة دي.
المواصفات الأساسية
- IGBT من نوع N-channel (ترانزستور بوابة معزولة)
- جزء من سلسلة GT15J من توشيبا
- تحكم جيت شبه موسفت، توصيل شبه ثنائي القطبية
- مبنية للتبديل عالي القدرة
الاستخدامات
- محولات تشغيل موتورات
- مصادر تغذية سويتشينج عالية القدرة
- التحكم في الموتورات الصناعية
- تطبيقات تبديل IGBT عامة
المواصفات الفنية
راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.
مصدر: ترانزستور IGBT (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.
| Weight | 0,00 kg |
|---|---|
| Dimensions | 0,00 × 0,00 × 0,00 cm |
الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.
منتجات مشابهة
BTA16-800B Triac 16A 800V TO-220
متوفر
MPQ2222 – MOTOROLA IC – 14-Pin Dip – Quad NPN Transistor Array
متوفر


الآراء
Clear filtersلسه مفيش تقييمات.