IRFD9024

IRFD9024 MOSFET

The IRFD9024 MOSFET is a P-channel power MOSFET in a compact 4-pin HVMDIP package, rated -60V / -1.6A, combining fast switching with low on-resistance.

How It Works

As a P-channel MOSFET, the IRFD9024 MOSFET turns on when its gate-source voltage is pulled negative, opening a conductive channel with a modest 0.28Ω on-resistance and letting current flow from source to drain. Its miniature 4-pin HVMDIP package is machine-insertable and end-stackable, designed for automated PCB assembly, while still delivering fast switching and repetitive avalanche ruggedness. P-channel devices like this are the natural choice when a design needs to switch the high side of a supply rail, complementing an N-channel MOSFET on the low side.

Key Features

• P-channel power MOSFET
• -60V VDS, -1.6A continuous drain current
• Low on-resistance ~0.28Ω
• Compact 4-pin HVMDIP package

Typical Applications

• High-side switching in dual-supply designs
• Automated PCB assembly power switching
• Complementary pairing with N-channel MOSFETs
• Compact power switching circuits

Specifications

See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.

Reference: Power MOSFETs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.

شريحة IRFD9024 MOSFET

موسفت IRFD9024 MOSFET قدرة P-channel باكدج HVMDIP 4 أطراف مدمج، مقيّم -60 فولت / -1.6 أمبير، بيجمع تبديل سريع مع مقاومة تشغيل منخفضة.

إزاي شغالة

بما إنه موسفت P-channel، شريحة IRFD9024 MOSFET بتتشغّل لما فولت جيت-سورس يتسحب سالب، وده بيفتح قناة توصيل بمقاومة تشغيل متواضعة 0.28 أوم وبيخلي التيار يعدي من السورس للدرين. باكدج HVMDIP المصغّر بتاعها بـ4 أطراف قابل للتركيب الآلي والتكديس الطرفي، مصمم للتجميع الآلي للبوردات، وهي لسه بتدّي تبديل سريع ومتانة avalanche متكررة. أجهزة P-channel زي دي هي الاختيار الطبيعي لما التصميم محتاج يبدّل الجانب العالي من خط التغذية، بتكمّل موسفت N-channel على الجانب المنخفض.

المواصفات الأساسية

• موسفت قدرة P-channel
• فولت VDS -60، تيار درين مستمر -1.6 أمبير
• مقاومة تشغيل منخفضة ~0.28 أوم
• باكدج HVMDIP مدمج بـ4 أطراف

الاستخدامات

• تبديل الجانب العالي في تصميمات مزدوجة التغذية
• تبديل طاقة في التجميع الآلي للبوردات
• التزاوج التكميلي مع موسفت N-channel
• دوائر تبديل طاقة مدمجة

المواصفات الفنية

راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.

مصدر: موسفت القدرة (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.