PHD3055

PHD3055 MOSFET

The PHD3055 MOSFET is an N-channel TrenchMOS power MOSFET, rated 60V / 18A with low on-resistance, driven directly by logic-level (down to 4.5V) gate voltages.

How It Works

The PHD3055 MOSFET uses Trench Power MOSFET construction, a technique that packs the conductive channel vertically into the silicon rather than spreading it across the surface, achieving low on-resistance (about 73mΩ at 10V gate drive, 85mΩ at just 4.5V) in a compact die. Because it turns on fully even with a modest 4.5V gate-source voltage, it can be driven directly by 5V logic and many microcontroller outputs without a dedicated gate driver, while still handling up to 18A at 60V — a practical combination for logic-controlled power switching.

Key Features

• N-channel TrenchMOS power MOSFET
• 60V drain-source voltage, 18A drain current
• Logic-level gate drive (down to 4.5V)
• Low RDS(on) ~73-85mΩ, TO-252 package

Typical Applications

• Microcontroller-driven DC-DC converters
• DC-AC inverter circuits
• Motor drive applications
• Logic-level power switching

Specifications

See Key Features above for rated voltage, current, and package. Housed in a standard through-hole package with a mounting/lead configuration typical of its family, suited for common breadboard and PCB prototyping.

Reference: Power MOSFETs (Wikipedia) — browse more transistors, triacs & thyristors at Electrolik.

شريحة PHD3055 MOSFET

موسفت PHD3055 MOSFET قدرة N-channel من نوع TrenchMOS، مقيّم 60 فولت / 18 أمبير بمقاومة تشغيل منخفضة، بيتشغّل مباشرة بفولت جيت مستوى لوجيك (لحد 4.5 فولت).

إزاي شغالة

موسفت PHD3055 MOSFET بيستخدم تصميم Trench Power MOSFET، تقنية بتحشر قناة التوصيل عموديًا جوه السيليكون بدل ما تنتشر على السطح، وده بيحقق مقاومة تشغيل منخفضة (حوالي 73 ميلي أوم عند تشغيل جيت 10 فولت، 85 ميلي أوم عند 4.5 فولت بس) في رقاقة مدمجة. وبما إنه بيتشغّل بالكامل حتى بفولت جيت-سورس متواضع 4.5 فولت، يقدر يتشغّل مباشرة من لوجيك 5 فولت وكتير من مخارج المتحكم الدقيق من غير درايفر جيت مخصص، وهو لسه بيتحمل لحد 18 أمبير على 60 فولت — تركيبة عملية لتبديل طاقة متحكم بيه بلوجيك.

المواصفات الأساسية

• موسفت قدرة N-channel من نوع TrenchMOS
• فولت درين-سورس 60، تيار درين 18 أمبير
• تشغيل جيت بمستوى لوجيك (لحد 4.5 فولت)
• مقاومة تشغيل منخفضة ~73-85 ميلي أوم، باكدج TO-252

الاستخدامات

• محولات DC-DC متحكم بيها بمتحكم دقيق
• دوائر محول DC-AC
• تطبيقات تشغيل الموتور
• تبديل طاقة بمستوى لوجيك

المواصفات الفنية

راجع المواصفات الأساسية فوق للفولت والتيار والباكدج. متغلّفة في باكدج through-hole قياسي بترتيب أرجل نموذجي لعائلتها، مناسب لتجربة البريدبورد والبورد العادية.

مصدر: موسفت القدرة (ويكيبيديا) — تصفح المزيد من الترانزستورات والتراياك والثايرستور في إلكتروليك.